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PD- 93895
SMPS MOSFET
IRF7464
HEXFET ? Power MOSFET
Applications
l High frequency DC-DC converters
V DSS
200V
R DS(on) max
0.73 ?
I D
1.2A
Benefits
l
l
l
Low Gate to Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C OSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
A
A
D
D
D
D
and Current
Absolute Maximum Ratings
Parameter
T o p V ie w
Max.
SO-8
Units
I D @ T A = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
1.2
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
V GS
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt ?
1.0
10
2.5
0.02
± 30
6.8
A
W
W/°C
V
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
Typical SMPS Topologies
l
Telecom 48V input Forward Converter
Notes ? through ? are on page 8
www.irf.com
1
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